內存制造商、初創公司Crossbar本周宣布已經開發出所謂的“非常高容量以及高性能的非易失性內存”,基于一種電阻RAM技術的新方法,能夠在單層200mm2的芯片上保存1TB數據!
Crossbar首席執行官George Minassian表示:“隨著我們對Crossbar陣列的開發,我們已經實現了證明我們RRAM技術易于制造和商業化就緒的主要技術里程碑。這對于非易失性存儲行業來說是一個分水嶺。”
是否真的如此還有待觀察,但是Crossbar RRAM技術的確要比紙面上來得好。Crossbar宣稱,由于該技術“簡單的三層結構,它可以堆棧成多個層,這樣在一張郵票大小的芯片上,就可以有多TB的存儲空間。”
性能也值得一提。與頂尖的NAND閃存相比,Crossbar宣稱他們的技術寫速度加快20倍,能耗降低20倍,耐用性提高10倍,而大小只是同類NAND的一半。
小芯片也能玩轉TB級數據 Crossbar公布RRAM非易失性閃存
Crossbar宣稱自己的技術相比NAND閃存有顯著的優勢
此外,Crossbar還表示,與NAND不同的是,自己的技術將很容易縮小到小于5納米的節點,可以保存數據長達20年,而且比NAND的異步讀速度更高。他們聲稱有425x XIP的改進,真的嗎?
當然,如果Crossbar RRAM制造成本太高而不具有合理價位的話,以上所有這些華麗的數據都是沒有意義的。Minassian和他的團隊表示,他們正在關注這個問題,并且正在開發一款Crossbar內存陣列,已經在商業晶圓廠開始生產——不過他們并沒有說這款展示的陣列采用何種工藝制程。
小芯片也能玩轉TB級數據 Crossbar公布RRAM非易失性閃存
下面是CMOS,上層是Crossbar RRAM
通過使用標準CMOS工藝技術,Crossbar稱這將能夠“容易地在微控制器和FPGA的其他邏輯組件上堆棧非易失性內存,在高級節點上高度集成SoC。”是的,他們的確計劃將他們的技術許可提供給SoC設計者。
Crossbar創建于2010年,總部在美國加州圣克拉拉,已經獲得了來自早期投資方Artiman、Kleiner Perkins Caufield & Byers以及Northern Light Venture Capital的2500萬美元融資。