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惠普聯(lián)合Hynix在2013年制造憶阻器產(chǎn)品
2011-10-08   cnbeta

惠普今天宣布將在2013年左右聯(lián)合Hynix共同生產(chǎn)以憶阻器技術(shù)為基礎(chǔ)的非易失性內(nèi)存ReRAM產(chǎn)品,它帶來(lái)了比閃存更為低功耗以及更高的性能。高級(jí)研究員R. Stanley Williams披露了這一消息,并稱(chēng)“數(shù)以百計(jì)的晶圓”已經(jīng)誕生,最初版本將帶來(lái)較慢的速度級(jí)別,可以取代手機(jī)上的閃存產(chǎn)品,之后還有更快的東西出現(xiàn)。

  不過(guò)惠普也指出,三星也有一個(gè)更強(qiáng)大的憶阻器設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì),因此公司的相關(guān)業(yè)務(wù)面臨挑戰(zhàn)。

  2007年惠普公司資訊與量子系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室(Information and Quantum Systems Lab)的研究人員,在R. Stanley Williams的領(lǐng)導(dǎo)下,成功研制了固態(tài)的憶阻器-它是由一片雙層的二氧化鈦(bi-level titanium dioxide)薄膜所形成,當(dāng)電流通過(guò)時(shí),其電阻值就會(huì)改變。固態(tài)的憶阻器的制造需要涉及物料的納米技術(shù)。這個(gè)憶阻器并不像其理論般涉及磁通量,或如電容器般儲(chǔ)存電荷,而是以化學(xué)技術(shù)來(lái)達(dá)至電阻隨電流歷史改變的性質(zhì)。

  三星集團(tuán)卻有一項(xiàng)正申請(qǐng)專(zhuān)利的憶阻器,采用了類(lèi)似惠普公司的技術(shù)。故此誰(shuí)是憶阻器的創(chuàng)始人則有待澄清。

  憶阻器(英語(yǔ):memristor /ˈmɛmrɨstər/),又名記憶電阻(英語(yǔ):memory resistors),是一種被動(dòng)電子元件。憶阻器被認(rèn)為是電路的第四種基本元件,僅次于電阻器、電容器及電感元件。

原文鏈接:http://stor.zol.com.cn/252/2523508.html

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