惠普今天宣布將在2013年左右聯(lián)合Hynix共同生產(chǎn)以憶阻器技術(shù)為基礎(chǔ)的非易失性內(nèi)存ReRAM產(chǎn)品，它帶來(lái)了比閃存更為低功耗以及更高的性能。高級(jí)研究員R. Stanley Williams披露了這一消息，并稱(chēng)“數(shù)以百計(jì)的晶圓”已經(jīng)誕生，最初版本將帶來(lái)較慢的速度級(jí)別，可以取代手機(jī)上的閃存產(chǎn)品，之后還有更快的東西出現(xiàn)。

　　不過(guò)惠普也指出，三星也有一個(gè)更強(qiáng)大的憶阻器設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，因此公司的相關(guān)業(yè)務(wù)面臨挑戰(zhàn)。

　　2007年惠普公司資訊與量子系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室(Information and Quantum Systems Lab)的研究人員，在R. Stanley Williams的領(lǐng)導(dǎo)下，成功研制了固態(tài)的憶阻器－它是由一片雙層的二氧化鈦(bi-level titanium dioxide)薄膜所形成，當(dāng)電流通過(guò)時(shí)，其電阻值就會(huì)改變。固態(tài)的憶阻器的制造需要涉及物料的納米技術(shù)。這個(gè)憶阻器并不像其理論般涉及磁通量，或如電容器般儲(chǔ)存電荷，而是以化學(xué)技術(shù)來(lái)達(dá)至電阻隨電流歷史改變的性質(zhì)。

　　三星集團(tuán)卻有一項(xiàng)正申請(qǐng)專(zhuān)利的憶阻器，采用了類(lèi)似惠普公司的技術(shù)。故此誰(shuí)是憶阻器的創(chuàng)始人則有待澄清。

　　憶阻器（英語(yǔ)：memristor /ˈmɛmrɨstər/），又名記憶電阻（英語(yǔ)：memory resistors），是一種被動(dòng)電子元件。憶阻器被認(rèn)為是電路的第四種基本元件，僅次于電阻器、電容器及電感元件。

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