服務(wù)器的散熱永遠(yuǎn)是業(yè)界的關(guān)注點(diǎn)，在計(jì)算密度越來越高，電力消耗越來越大的今天，服務(wù)器，尤其是大量應(yīng)用服務(wù)器的數(shù)據(jù)中心，散熱問題永遠(yuǎn)“揮之不散”，現(xiàn)在，由于外部散熱難以完全解決問題，而且散熱效率較低，經(jīng)常造成服務(wù)器內(nèi)部局部過熱，從而不能達(dá)到服務(wù)器散熱的要求，于是越來越多的服務(wù)器廠商已經(jīng)將服務(wù)器的散熱聚焦于服務(wù)器內(nèi)部。

對(duì)于服務(wù)器散熱來說，尤其是內(nèi)部散熱，單純的增加風(fēng)扇數(shù)量或增加風(fēng)扇轉(zhuǎn)速并不能很好的解決問題，風(fēng)扇越多，轉(zhuǎn)速越快，耗電也就越多，噪音也會(huì)越大，對(duì)于用戶來說，耗電和噪音也是很大的問題，如果可以根據(jù)服務(wù)器內(nèi)部部件的運(yùn)行情況試試調(diào)整散熱――尤其是風(fēng)扇，那么服務(wù)器的散熱效果非但不會(huì)打折扣，還會(huì)有效降低服務(wù)器耗電和噪音。

英特爾熱管理架構(gòu)工程師Kaleen Man女士為大家講解了英特爾在服務(wù)器關(guān)鍵元器件散熱中的技術(shù)，她表示2007年基于英特爾處理器的服務(wù)器已經(jīng)對(duì)中央處理器（CPU）、北橋（MCH）、FB-Dimm內(nèi)存全部提供了災(zāi)難過熱保護(hù)、閉路循環(huán)保護(hù)（CLTT）和用于風(fēng)扇轉(zhuǎn)速控制（FSC）的傳感器。也就是說，對(duì)于服務(wù)器主要容易過熱的部件――處理器、北橋和 內(nèi)存，英特爾都提供了基于傳感器的溫度保護(hù)技術(shù)。

我們知道，英特爾的雙核/四核采用了Bensley平臺(tái)，而Bensley平臺(tái)采用了全新的FB-Dimm內(nèi)存技術(shù)，這是因?yàn)橐环矫婵紤]內(nèi)存容量的可擴(kuò)充性，另一方面考慮提升內(nèi)存的性能，通過FB-Dimm內(nèi)存上的AMB芯片來串行連接后面的內(nèi)存，增加系統(tǒng)內(nèi)存容量，通過串行技術(shù)可以將內(nèi)存峰值帶寬提高到21GB/s。FBDIMM的功耗非常高，產(chǎn)生的熱量比較大，而FB-Dimm內(nèi)存的性能與AMB芯片的工作溫度有很大的關(guān)系，這對(duì)服務(wù)器的散熱設(shè)計(jì)提出了很高了要求，要達(dá)到理論的內(nèi)存峰值帶寬，在FB-Dimm內(nèi)存的工藝設(shè)計(jì)上Intel與各大內(nèi)存廠商還需要下更多的功夫去改進(jìn)。

針對(duì)于FB-Dimm內(nèi)存的散熱，尤其是其AMB芯片的散熱，Kaleen Man女士講解了針對(duì)FB-Dimm內(nèi)存的熱管理技術(shù)，英特爾將內(nèi)存溫度分為了三個(gè)階段：AMB.TempLow、AMB.TempMid、AMB.TempHi。同時(shí)，為AMB芯片溫度設(shè)定了四個(gè)散熱階段，其基本技術(shù)就是“內(nèi)存工作閑時(shí)降低風(fēng)扇轉(zhuǎn)速，內(nèi)存工作忙時(shí)增加風(fēng)扇轉(zhuǎn)速”，但是需要指出的是，CLTT散熱階段，由于傳感器可能會(huì)有的5~6度左右的測(cè)溫誤差，于是當(dāng)出現(xiàn)-5度誤差的時(shí)候，可能現(xiàn)在的AMB溫度已經(jīng)進(jìn)入了危險(xiǎn)區(qū)間，針對(duì)于此，英特爾特別設(shè)計(jì)在此時(shí)，由MCH觸發(fā)內(nèi)存保護(hù)機(jī)制，從而避免AMB溫度過高。

我們知道串行的FB-Dimm內(nèi)存，可以過片上的AMB芯片來串行連接后面的內(nèi)存，增加系統(tǒng)內(nèi)存容量，于是就會(huì)有很多內(nèi)存工作與同一平臺(tái)上，但是有時(shí)候，整個(gè)內(nèi)存系統(tǒng)只有幾片內(nèi)存非常繁忙并且過熱，英特爾針對(duì)于此特別對(duì)每個(gè)安裝的內(nèi)存進(jìn)行AMB溫度寄存器優(yōu)化，每個(gè)分支（Branch）有獨(dú)立的熱保護(hù)機(jī)制。對(duì)于如何進(jìn)行閉路循環(huán)熱保護(hù)CLTT的檢測(cè)參數(shù)的設(shè)置，Kaleen Man女士表示，F(xiàn)B-Dimm內(nèi)存的耐溫性能、耗電值以及OEM廠商提供的廠商信息、最終用戶希望的溫度控制都是可以作為參考的，而且，優(yōu)化的設(shè)置可以減少為保護(hù)內(nèi)存而設(shè)置的保護(hù)帶，提高性能并改善噪音。另外，內(nèi)存上的用于風(fēng)扇速度控制的AMB傳感器是非常重要的一部分，整個(gè)內(nèi)存的散熱要根據(jù)其中最熱的內(nèi)存――即與觸發(fā)熱保護(hù)溫度最接近的內(nèi)存來決定風(fēng)扇速度的加快和降低。

在本次講座中，Kaleen Man女士著重提到，英特爾將為北橋MCH提供全新的廣發(fā)的熱管理技術(shù)，在2007年將作為重點(diǎn)之一。同樣的，MCH的溫度也被劃分為三個(gè)級(jí)別：TSFSC、Throttling limit以及Term Trip。這其中值得注意的是，如果北橋MCH超過熱保護(hù)極限Throttling limit時(shí)，MCH將在0.5ms內(nèi)將其與內(nèi)存和I/O的傳輸切換到預(yù)設(shè)的安全值，即降低內(nèi)存與I/O性能以保護(hù)系統(tǒng)不會(huì)因過熱而出現(xiàn)物理損害。

當(dāng)然，散熱系統(tǒng)的實(shí)施是內(nèi)存和傳感器的整合，每一個(gè)風(fēng)扇和傳感器都可以相互連接，在2007年，將會(huì)有處理器、內(nèi)存、北橋互連的負(fù)責(zé)整體散熱的傳感器，同時(shí)，因?yàn)闇囟茸x取會(huì)有一定延時(shí)，可能會(huì)造成讀取溫度不是實(shí)時(shí)溫度的準(zhǔn)確值。因此新的北橋MCH的溫度控制，將會(huì)是整合的規(guī)模可擴(kuò)展的溫度控制。

對(duì)于處理器和MCH來說，災(zāi)難性的熱保護(hù)是最為重要的，如果出現(xiàn)災(zāi)難性的過熱，硬件設(shè)備往往會(huì)因?yàn)殡娮舆w移現(xiàn)象、過熱現(xiàn)象而出現(xiàn)物理損害。同時(shí)，由于可能出現(xiàn)的異常的散熱失效，如散熱系統(tǒng)故障，風(fēng)扇停轉(zhuǎn)，處理器、北橋和內(nèi)存的Term Trip信號(hào)――即考慮誤差修正的過熱區(qū)間，將會(huì)精確的降低系統(tǒng)功耗，從而避免永久的物理損害，當(dāng)然，Term Trip信號(hào)也會(huì)觸發(fā)系統(tǒng)日志，從而為系統(tǒng)工程師的事件診斷提供幫助。

當(dāng)然，英特爾提供了一整套完備的驗(yàn)證程序，以驗(yàn)證散熱系統(tǒng)是否可以保證所有元件的熱保護(hù)，系統(tǒng)工程師將就FSC進(jìn)行數(shù)學(xué)建模工作，最終FSC在模型中達(dá)到一定值之后即可滿足所有元器件的散熱要求。同時(shí)，數(shù)值讀取會(huì)有一定的傳感器誤差，因此過熱保護(hù)臨界需要防護(hù)帶，因此內(nèi)存的CLTT設(shè)定會(huì)有一定的范圍界定。